DRAMeXchange sacīja, ka DRAM līguma cena šā gada augustā bija tāda pati kā iepriekšējā mēnesī, un vidējā DDR4 8GB cena sasniedza 25,5 USD. Lai gan septembra līgumcena joprojām notiek sarunās, tā, visticamāk, joprojām paliks nemainīga. Gaidot 2020. gadu, ņemot vērā trīs galveno DRAM ražotāju orientāciju uz peļņu, kapitāla izdevumu tāme tiks samazināta vismaz par 10%, salīdzinot ar šo gadu. Arī nākamā gada produkcijas izlaides pieaugums gadā ir zemākais pēdējo 10 gadu laikā - tikai 12,5%, liekot zināmu pamatu cenu atsitumam.
Tirgus pusē, saņemot Japānas valdības atļauju eksportēt svarīgākās pusvadītāju izejvielas, tirdzniecības jautājums starp Japānu un Dienvidkoreju sākās jūlijā, bet attiecīgajā laika posmā oriģinālo iekārtu ražotāju klientus ietekmēja neskaidri faktori un gaidāmie psiholoģiskie faktori, kas izraisīja krājumu krājumi pieaugs. Krājuma ūdens līmenis ir pakāpeniski pazeminājies, virzoties uz normālu ūdens līmeni.
Turklāt trešā sezona sakrīt ar tradicionālo pīķa sezonu, un Amerikas Savienotās Valstis decembra sākumā sāks piemērot tarifus elektroniskajiem izstrādājumiem, ko eksportē uz dažiem kontinentiem, kam arī ir agrīna nosūtīšanas ietekme. Pieprasījums ir lielāks nekā gaidīts, kas ļauj DRAM ražotājiem vienoties par cenām. Attieksme bija stingrāka, un kopējā trešā ceturkšņa cena mainīja sākotnējo kritumu un kļuva lēna.
Jibangs tālāk analizēja, ka trīs galveno DRAM oriģinālo rūpnīcu paplašināšanas plāns ir kļuvis konservatīvs. Piemēram, Samsung Pyeongtaek II rūpnīca tuvojas pabeigšanai, taču tā komerciālajā nodošanā nenotiks līdz 2020. gada otrajam ceturksnim, un nesen pievienotais aprīkojums tikai atbalsta pāreju uz nākotnes 1Z nano procesu, kopējais filmas daudzums būt aptuveni tāds pats kā šogad.
SK Hynix jaunākā rūpnīca M16 tiks pabeigta nākamā gada otrajā pusē. Straujākais ražošanas jaudu pieaugums būs līdz 2021. gadam, un vecā rūpnīca M10 pakāpeniski tiks pārveidota par oriģinālo aprīkojumu. Tiek lēsts, ka kopējais DRAM ražošanas apjoms nākamgad nepalielināsies vai nesamazināsies.
F-celtniecības iekārta, kuru šogad pievienoja Micron Hirosimas rūpnīcā, ir arī lai atbalstītu pāreju uz 1Z nano procesu. Hirosimas rūpnīcas kopējā jauda nav palielinājusies. Jaunā A3 rūpnīca, kuru uzbūvēs Micron Storage Taivānā, arī atbalstīs 1Znm procesu sākotnējā posmā un palielinās ražošanu īstermiņā. Iespēja tomēr nav liela, Jibangs uzskata, ka A3 rūpnīcas bāze nav maza, un nākotnē joprojām pastāv jaunas iespējas.
Runājot par zemes rūpnīcām, šobrīd ir divas DRAM ražošanas bāzes. Ražošanā ir nodots lielāks Hefei Changxin. Sākotnējie produkti galvenokārt ir DDR4 8Gb. Nākamā gada pirmajā pusē būs LPDDR4 8Gb produkti, kas arī turpmāk nonāks masveida ražošanā, taču paredzēts, ka tas ieradīsies. 2021. gadā ražošanas jaudai būs iespēja sasniegt 100 000 vai vairāk no pilnas kravas.
Lai arī Fujian Jinhua ietekmēja ASV aizliegums, rūpnīcā inženieri nevarēja uzturēt ASV aprīkojumu, taču iekšējie darbinieki joprojām centās pielāgot parametrus savām optimizācijām. Paredzams, ka nākamgad filma būs 10 000 vienību robežās.
Kopumā Džibanga lēš, ka 2020. gadā kontinentālās daļas DRAM ieguldījumu apjoms veidos mazāk nekā 3% no globālajiem ieguldījumiem, un neatkarīgo ražošanas rezultāti paliks ierobežoti. Nākotnē kontinentālajai atmiņas nozarei joprojām ir jāpārvar izaicinājumi, kas saistīti ar ražu, mašīnu uzbūvi un intelektuālo īpašumu, un jāturpina ievērot precīzu laika grafiku par ietekmi uz kopējo DRAM nozares piegādi.