ASML vecākais viceprezidents un augstas NA EUV produktu pārvaldības vadītājs Greet Storms nesen teica, ka augstas NA EUV litogrāfijas sistēmas strauji virzās uz lielapjoma ražošanu vai HVM. Pieaugot klientu eksponēšanas apjomiem visā pasaulē, ASML ir optimizējusi tehnoloģiju, lai nodrošinātu flotes produktivitāti ražošanai gatavās līmeņos, vienlaikus izstrādājot izmaksu ziņā efektīvu mērogošanas ceļvedi pusvadītāju industrijai nākamajā desmitgadē.
Globālās vafeļu eksponēšanas pārsniedz 1,35 miljonus, kamēr sistēmas demonstrē HVM veiktspēju
Storms teica, ka kopējais vafeļu eksponēšanas apjoms visā globālajā augstas NA EUV, vai EXE, sistēmu flotē ir pārsniedzis 1,35 miljonus, paātrinot procesu mācīšanos un HVM gatavību. Sertificētā EXE:5200B sistēma pieņemšanas testēšanas laikā sasniedza 135 vafeļu stundā caurlaidību, demonstrējot produktivitāti, kas nepieciešama lielapjoma ražošanai. Desmit augstas NA EUV sistēmas, kas uzstādītas piecos klientu objektos, pašlaik darbojas visā pasaulē, savukārt trīs papildu sistēmas tiek nosūtītas vai uzstādītas.
Sistēmas ir izrādījušas arī spēcīgu mašīnu pārklāšanās precizitāti un fokusa veiktspēju. Pieejamība visā globālajā augstas NA EUV flotē ir palielinājusies līdz 84% un tiek prognozēts, ka līdz 2026. gada beigām tā sasniegs 90%, ar ilgtermiņa mērķi 93%. Pamatojoties uz pieredzi no sava noteiktā NXE platformas, ASML ir uzlabojusi diagnostikas spējas un ieviesusi pasākumus, lai novērstu atkārtotus bojājumus, palielinot sistēmas darbības stabilitāti.
Augstas NA EUV ienāk loģisko mikroshēmu ražošanā un samazina uzlaboto procesu izmaksas, izmantojot vienu modelēšanu
Storms arī teica, ka augstas NA EUV ir sasniegušas nozīmīgu izrāvienu ar savu pirmo lietojumu lielapjoma loģisko mikroshēmu ražošanā. Atmiņas paplašināšanai augstas NA attēlošana varētu atbalstīt turpmāku attīstību līdz pat pieciem nākotnes 2D DRAM procesu mezgliem.
Salīdzinot ar 0,33-NA EUV, kas var pielāgoties sarežģītiem un dārgiem vairākkārtējo modeļu procesiem, augstākā izšķirtspēja 0,55-NA sistēmās ļauj ražot vairāk slāņu, izmantojot vienu modelēšanu. Vairākkārtējo modeļu aizvietošana ar vienu eksponēšanu var samazināt procesa sarežģītību, defektu procentu, cikla laiku un kopējās ražošanas izmaksas, vienlaikus saglabājot procesa veiktspēju un ekonomisko dzīvotspēju mazākās pakāpēs.
ASML ir izstrādājusi inženiertehniskos risinājumus tehniskajām problēmām, kas saistītas ar lielapjoma ražošanu. EXE platforma izmanto mikroshēmu līmeņa algoritmus, fokusa korekciju un 148 mm vafeļu klipa dizainu, lai nodrošinātu sagaidāmo fokusa dziļuma rezervi vairāk nekā 30 nm, vienlaikus saglabājot kontroles veiktspēju, kas salīdzināma ar NXE platformas.
Lai risinātu augstas NA EUV puslaukuma eksponēšanas ierobežojumus, ASML izmanto 175 μm šuvju kompensācijas zonu, kas izstrādāta lielapjoma ražošanai, nodrošinot lielāku dizaina elastību. DRAM lietojumos šuvju izveide ir nepieciešama tikai mikroshēmu dizainiem ar noteiktām nepāra skaitļu kolonnām, kamēr pāra skaitļu konfigurācijām šuvju izveide nav nepieciešama.
Augstas NA EUV arī veido jaunas dizaina iespējas 2D mikroshēmas izkārtojumiem. Tās augstāka attēlošanas kontrasta dēļ ir iespējams modelēt mazākas pakāpes vienā eksponēšanā, uzlabojot savienojumu maršrutu un potenciāli samazinot kopējo metāla slāņu skaitu. Piemēram, vienā modelētā 2D metāla izkārtojums varētu aizstāt sarežģītāku struktūru, kas iepriekš prasīja divus metāla slāņus un vienu caurules slāni, palielinot loģisko šūnu blīvumu un uzlabojot dizaina efektivitāti.
Caurlaidības mērķis sasniegt 180 vafeļu stundā stabilā 10 gadu platformā
Skatoties nākotnē, ASML plāno turpināt palielināt savu EXE platformas caurlaidību, virzoties no EXE:5200B uz nākamo paaudzi EXE:5400E. Palielinot EUV avota jaudu no 600 W līdz 1 000 W, paātrinot vafeļu un retikula apstrādi un ieviešot PEP risinājumu, ASML mērķis ir palielināt pieņemšanas testēšanas caurlaidību līdz 180 vafeļu stundā līdz 2030. gadam.
Storms piebilda, ka ASML ir izveidojusi visaptverošu ceļvedi savai 0,55-NA EUV tehnoloģijai, ar stabilu platformu, kas paredzēta vairāk nekā desmit gadu attīstībai. Apvienojot augstāku izšķirtspēju, vienas modelēšanas spēju, palielinātu produktivitāti un lielāku dizaina elastību, platforma ir paredzēta, lai atbalstītu pusvadītāju industrijas ilgtermiņa uzlaboto mezglu mērogošanas plānus.