Saskaņā ar ZDNet citētajiem nozares avotiem, Samsung Electronics pārskata NRD-K līnijas 2 mērķi, kas tiek būvēta tā Giheung kampusā. Uzņēmums apsver iespēju pārveidot sākotnēji plānoto pētījumu un attīstības līniju par ražošanas līniju, kas veltīta 2nm loģikas bāzes mikroshēmu ražošanai nākamās paaudzes augstas joslas platuma atmiņai (HBM). Šis solis ir paredzēts, lai sagatavotos strauji augošām nākotnes HBM prasībām no galvenajiem klientiem, piemēram, Nvidia.
Saskaņā ar ZDNet citētajiem nozares avotiem, Samsung Electronics pārskata NRD-K līnijas 2 mērķi, kas tiek būvēta tā Giheung kampusā. Uzņēmums apsver iespēju pārveidot sākotnēji plānoto pētījumu un attīstības līniju par ražošanas līniju, kas veltīta 2nm loģikas bāzes mikroshēmu ražošanai nākamās paaudzes augstas joslas platuma atmiņai (HBM). Šis solis ir paredzēts, lai sagatavotos strauji augošām nākotnes HBM prasībām no galvenajiem klientiem, piemēram, Nvidia.
NRD-K līnija 2 sākotnēji tika izstrādāta kā progresīvās procesu attīstības līnija. Saskaņā ar jaunāko plānu, objekts galvenokārt piegādās bāzes mikroshēmas pielāgotām HBM produktiem un HBM5 pēc tam, kad tas sāks darboties. Samsung ir nolēmis ražot HBM5 bāzes mikroshēmas, izmantojot 2nm procesu, balstoties uz tās gate-all-around (GAA) arhitektūru. Nākamās paaudzes produktiem tiek prognozēts, ka datu pārraides ātrumi būs vairāk nekā par 50% augstāki nekā HBM4E, padarot konvencionālos bāzes mikroshēmu dizainus arvien grūtākus, lai apmierinātu joslas platuma un jaudas patēriņa prasības. Seula Ekonomiskā Ikdiena iepriekš ziņoja, ka Samsung šogad jūnijā publiski atklāja informāciju par savu HBM5 risinājumu pirmo reizi.
Līnijas darbība ir paredzēta, lai uzsāktu otro 2028. gada pusgadu. Avoti teica, ka, ņemot vērā, ka objekts ir salīdzinoši neliels, tas visdrīzāk darbosies pēc “send-fab” modeļa kā palīgiekārta. Nevis patstāvīgi apstrādājot visu vafeļu ražošanas procesu, tas saņems vafeļus no Samsung galvenajām augstas jaudas ražošanas līnijām un veiks tikai izvēlētas procesu darbības. Objekts papildinās Samsung progresīvās mezglu jaudu, nevis darbosies kā pilnīga, neatkarīga ražošanas līnija.
Projekts joprojām ir aptuveni divus gadus no mērķa palaišanas, un galīgais plāns vēl nav apstiprināts. Lai gan iekšējais priekšlikums lielā mērā ir izstrādāts, aprīkojuma iegādes pasūtījumi nav izsniegti. Investīciju apjoms un objekta galīgais mērķis joprojām var tikt pielāgoti, reaģējot uz izmaiņām pusvadītāju tirgus pieprasījumā.
NRD-K ir integrēts progresīvas pētniecības un attīstības komplekss, ko būvē Samsung ar aptuveni 20 triljonu vonu ieguldījumu. Vietne ir plānota, lai ietvertu trīs ražošanas līnijas. Līnija 1 tika pabeigta 2024. gada beigās, savukārt iepriekšēja vietas sagatavošana Līnijai 2 sākās šogad un pašlaik notiek pamatu darbi.
Samsung iespējamā pētniecības un attīstības līnijas pārveide par specializētu ražošanas līniju HBM bāzes mikroshēmām atspoguļo tās stratēģiju stiprināt sadarbību starp tās atmiņas un ražošanas uzņēmumiem. HBM5 un pielāgotie HBM produkti, kas paredzēti Nvidia nākamās paaudzes Feynman GPU, prasīs augstas veiktspējas loģikas bāzes mikroshēmas. Ja Samsung var ražot šīs 2nm bāzes mikroshēmas iekšēji, tas varētu nostiprināt savu konkurētspēju un iegūt lielāku kontroli pār ražošanas jaudu, kas ir būtiska HBM sastāvdaļa.